拿下多家海外大厂！国产SiC的进击战

近日，天岳先进披露，该公司正与英飞凌开展合作，第一阶段将侧重6英寸碳化硅（SiC）材料，但同时也将助力后者向8英寸碳化硅晶圆过渡。据悉，该协议的供应量，预计占到英飞凌长期需求量的两位数份额。

本土碳化硅企业拿下海外大单并非头一遭。

今年早些时候，三安光电也拿下了意法半导体的长期供应合同。两家公司将合资建厂，从事碳化硅外延和芯片的生产。三安光电通过子公司持股51%，意法半导体持股49%。预计新厂2028年落成达产后，8英寸碳化硅晶圆产能将达到1万片/周。

就单车碳化硅器件的价值量来说，衬底和外延的价值量占比超过50%，其质量也最终决定着碳化硅器件的品质和性能。但从制造工艺看，碳化硅衬底的良率提升仍面临诸多挑战。

目前碳化硅下游应用市场以6英寸为主，8英寸则是发展趋势。毫无疑问，随着全球碳化硅企业加速向8英寸过渡，成本下降将推动功率器件从硅基向碳化硅升级转型。

图片来源：天岳先进

以天岳先进为例，其是国内最早从事碳化硅半导体材料产业化的企业之一，拥有全自主的核心关键技术，已实现从2英寸到8英寸完全自主扩径，并实现了从基础原理到长晶阶段及加工阶段等相关技术、工艺的深入积累。

2022年初，该公司成功实现自主扩径制备8英寸衬底。在天岳先进看来，碳化硅衬底产业不仅存在一定的资本门槛，更存在着很高的技术门槛。技术迭代，经验积累和产业化过程中对产品质量一致性的要求都非常高。

另外，对于碳化硅衬底的产业化，技术工艺、原料供应、设备、厂务、还有人为因素等都会影响到产品品质。所以每个环节都需要控制住，才能保证产品质量和一致性。换句话说，做碳化硅衬底并非一件易事，要实现产业化则是难度再上一个台阶。

但无论如何，谁都无法阻止碳化硅“上车”的热潮。就像人们提到高压快充，就最先想到碳化硅一样。在新能源汽车市场，碳化硅已然成为这场效率革命的核心。

图片来源：路透社

值得注意的是，现阶段，碳化硅高压平台尚没有形成“全系标配”的优势。比如今年3月份，马斯克宣布特斯拉下一代平台将削减75%的碳化硅用量。业内分析，特斯拉或是出于成本考虑，或是出于对供应量不足的担心，才做此决定。

2018年，特斯拉率先在Model 3主逆变器中用碳化硅取代了一直以来采用的IGBT，由此点燃碳化硅上车热潮。也因此，当特斯拉宣布降低碳化硅用量时，业界一片哗然。

不过从另一个角度说，马斯克之所以会担忧，无非是因为碳化硅的产品质量存在不确定性，这种不确定直接影响了碳化硅的价格和供应量。试想一下，如果碳化硅的生产难度和硅基一样，特斯拉要考虑的肯定是内部生产，而非弃之不用。

虽然碳化硅生产从6英寸向8英寸升级是个长期活，但到底是结果为导向的生产活动，全球供应商积极扩产，进行产品验证，只为了实现这个目标。

就像SEMI日前发布的《2026年200mm晶圆厂展望报告》所展示的，预计在2023年至2026年，全球半导体制造商200mm（即指8英寸）晶圆厂产能将增加14%，新增12座200mm晶圆厂（不包括EPI），达到每月770多万片晶圆的历史新高。

而功率化合物半导体是200mm投资的最大驱动力，特别是电动汽车的动力总成逆变器和充电站的发展，预计随着电动汽车采用率的持续上升，将推动全球200mm晶圆产能的增长。报告还特别提到，汽车功率半导体的晶圆厂产能将增长34%。

扩产在即，碳化硅的春天还会远吗？

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