恩智浦和台积电交付业界首款汽车16纳米FinFET嵌入式MRAM

盖世汽车讯 据外媒报道，嵌入式应用安全连接解决方案供应商恩智浦半导体（NXP® Semiconductors）宣布与台积电（TSMC）合作，推出业界首款采用16 纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁性随机存取存储器）。

图片来源：恩智浦

随着不断向软件定义车辆（SDV）过渡，汽车制造商需要在单一硬件平台上支持多代软件升级。将恩智浦的高性能S32汽车处理器与采用16纳米FinFET技术的快速且高度可靠的下一代非易失性存储器相结合，可为SDV提供理想的硬件平台。

MRAM可以在大约3秒内更新20MB的代码，而闪存则需要大约1分钟，从而最大限度地减少了与软件更新相关的停机时间，并使汽车制造商能够消除因模块编程时间长而产生的瓶颈。此外，通过提供高达100万次的更新周期，MRAM可为汽车任务配置文件提供高度可靠的技术，其耐用性水平是闪存和其他新兴内存技术的10倍。

SDV使汽车制造商能够通过OTA更新推出新的舒适性、安全性和便利性功能，从而延长车辆的使用寿命并增强其功能、吸引力和盈利能力。随着基于软件的功能在车辆中变得越来越普遍，更新频率将会增加，而MRAM的速度和稳健性将变得更加重要。

台积电16FinFET嵌入式MRAM技术凭借其一百万次循环寿命、支持回流焊和150°C下的20年数据保留性能，远超汽车应用的严格要求。

台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang博士表示：“恩智浦总是能迅速发现台积电新工艺技术的潜力，尤其是在要求苛刻的汽车应用方面。我们很高兴看到我们领先的MRAM技术应用于恩智浦的S32平台，以支持下一代软件定义的汽车。”

恩智浦汽车加工执行副总裁兼总经理Henri Ardevol表示：“恩智浦与台积电成功合作数十年，始终如一地为汽车市场提供高质量的嵌入式存储器技术。MRAM是恩智浦支持下一代汽车架构的S32汽车解决方案组合的突破性补充。”

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