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A*STAR微电子研究所和SOITEC合作 开发下一代碳化硅半导体

汽车 盖世汽车网    2022-01-11 17:58

盖世汽车讯 1月10日,新加坡科学、技术和研究机构(A*STAR)的微电子研究所(IME)和法国半导体材料公司Soitec宣布开展研究合作,开发下一代碳化硅(SiC)半导体器件,为电动汽车和先进高压电子设备提供动力。双方将利用Soitec的专有技术,如Smart Cut™和IME的试验生产线来制造直径为200 mm的SiC半导体基板。

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(图片来源:Soitec)

此次联合研究将有助于开发一个整体的SiC生态系统,并提高新加坡和巴黎的半导体制造能力。该研究合作计划于2024年年中完成,旨在实现:

Soitec首席技术官兼高级执行副总裁Christophe Maleville表示:“此次合作我们将有机会展示SmartSiC基板可扩展到200mm的性能,并为开发先进的外延解决方案铺平道路,以生产具有节能特性的更高质量的SiC晶圆。新加坡的半导体生态系统将受益于此,从而验证合理生产的SiC晶圆的卓越能效。”

【以上内容转自“盖世汽车”,不代表本网站观点。 如需转载请取得盖世汽车网许可,如有侵权请联系删除。】

 

责任编辑: 4161HSS

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