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UnitedSiC推出九个750V SiC器件 导通电阻最低达6mΩ

汽车 盖世汽车网    2021-09-30 11:23

盖世汽车讯 据外媒报道,碳化硅功率半导体制造商UnitedSiC公司推出九个750V SiC器件,其中导通电阻可低至6mΩ。这些器件为电动汽车的传动系统提供了优势。

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(图片来源:unitedsic)

新750V SiC FET系列的额定值为 6、9、11、23、33和44mΩ,并采用TO-247-4L 封装。18、23、33、44和60mΩ器件也采用更传统的TO-247-3L封装。

该公司表示,该系列已于去年12月推出18和60mΩ750V器件。新扩展产品与这些现有器件相辆相成,为设计人员提供了更多的选择,实现了更大的设计灵活性,以获得最佳成本/效率权衡,同时保持充足的设计裕度和电路稳健性。

UnitedSiC的第4代SiC FET是SiC JFET和共同封装的硅MOSFET的“共源共栅”(cascode)。总的来说,能够提供宽带隙技术的全部优势:高速、低损耗和高温操作,同时保持简单、稳定和强劲的栅极驱动,并具有集成ESD保护。

这些优势通过品质因数(FoMs)进行量化,例如导通电阻RDS(on) x A,这是衡量单位晶粒面积的传导损耗的指标。第四代SiC FET在高和低晶粒温度下,都达到了据称是市场上的最低值。FoM RDS(on) x EOSS/QOSS在硬开关应用中很重要,据估计是最接近的竞争产品的一半。FoM RDS(on) x COSS(tr)在软开关应用中很重要,UnitedSiC声称,其器件成本比额定电压为650V的竞争器件低约30%,而UnitedSiC器件的额定电压为750V。

对于硬开关应用,SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面,优于竞争对手Si MOSFET或 SiC MOSFET技术。第四代技术的其他优势是,使用先进的晶圆减薄技术和银烧结晶粒连接,降低晶粒与外壳之间的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出,以实现低晶粒温升。

这些设备旨在用于电动汽车中的牵引驱动器、车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器和AC-DC(或DC-DC)电源转换中所有阶段的单向和双向电力转换。

第四代750VSiC器件的价格不等,如UJ4C075044K3S为4.15美元,UJ4SC075006K4S为23.46美元。

【以上内容转自“盖世汽车”,不代表本网站观点。 如需转载请取得盖世汽车网许可,如有侵权请联系删除。】

 

责任编辑: ZX4147

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