东芝推出采用TOLL封装的650V第三代SiC MOSFET

据外媒报道，东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET，搭载其最新的第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备，例如开关电源和光伏发电机的功率调节器。MOSFET“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”即日起批量出货。

图片来源： 东芝

这些新产品是东芝第三代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，该封装可将器件体积缩小80%以上，并提高设备的功率密度。

TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗，有助于降低开关损耗。作为四端子封装，开尔文连接可用作栅极驱动的信号源端子。这降低了封装内源极线电感的影响，实现了高速开关性能；以TW048U65C为例，其导通损耗和关断损耗分别比东芝现有产品低约55%和25%，这将有助于降低设备的功率损耗。

东芝将继续扩展其产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

应用

特性

- 优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻良好的温度依赖性。

- 低漏源导通电阻×栅漏电荷

- 低二极管正向压降：VDSF=-1.35V（典型值）（VGS=-5V）

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