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东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗

汽车 盖世汽车    2023-09-06 10:09

盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba,东芝)推出采用有助于降低开关损耗4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET,即TWxxxZxxxC系列。该产品采用东芝最新的第三SiC MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列产品共有10款,其中5款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,并均已开始批量出货。

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图片来源:东芝

 

这些新产品是东芝碳化硅MOSFET系列中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接(Kelvin connection),有助于减少封装内源极线电感的影响,从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低约40%,关断损耗降低约34%,从而有助于降低设备功率损耗。

东芝将继续扩大产品阵容以满足市场趋势,并为提高设备效率和扩大电力容量做出贡献。

新产品系列的应用包括:开关电源(服务器、数据中心、通信设备等);电动汽车充电站;光伏逆变器;不间断电源(UPS)。

新产品特征包括:四引脚TO-247-4L(X)封装;通过栅极驱动信号源端子的开尔文连接减少开关损耗;第三代SiC MOSFET;低漏源导通电阻x栅漏电荷;低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)。

【以上内容转自“盖世汽车”,不代表本网站观点。 如需转载请取得盖世汽车网许可,如有侵权请联系删除。】

 

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责任编辑: cxr4186

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