东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗

盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba，东芝）推出采用有助于降低开关损耗4引脚TO-247-4L（X）封装的碳化硅（SiC）MOSFET，即TWxxxZxxxC系列。该产品采用东芝最新的第三SiC MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列产品共有10款，其中5款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，并均已开始批量出货。

图片来源：东芝

这些新产品是东芝碳化硅MOSFET系列中首批采用4引脚TO-247-4L（X）封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接（Kelvin connection），有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低约40%，关断损耗降低约34%，从而有助于降低设备功率损耗。

东芝将继续扩大产品阵容以满足市场趋势，并为提高设备效率和扩大电力容量做出贡献。

新产品系列的应用包括：开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）；电动汽车充电站；光伏逆变器；不间断电源（UPS）。

新产品特征包括：四引脚TO-247-4L（X）封装；通过栅极驱动信号源端子的开尔文连接减少开关损耗；第三代SiC MOSFET；低漏源导通电阻x栅漏电荷；低二极管正向电压：VDSF=-1.35V（典型值）（VGS=-5V）。

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