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富士通推出汽车级4Mbit FRAM 工作温度为125°C
汽车 盖世汽车网    2021-07-13 14:10

盖世汽车讯 据外媒报道,富士通半导体存储器解决方案(Fujitsu Semiconductor Memory Solution)公司宣布开始量产4Mbit FRAM(铁电随机存取存储器)MB85RS4MTY,可在125°C高温下运行。

富士通推出汽车级4Mbit FRAM 工作温度为125°C

(图片来源:富士通)

该FRAM产品符合AEC-Q1001级汽车标准,非常符合工业机器人和汽车应用,例如需要高可靠性电子元件的高级驾驶辅助系统(ADAS)。

富士通推出汽车级4Mbit FRAM 工作温度为125°C

(图片来源:富士通)

FRAM是一种非易失性存储器产品,其读写耐久性高、写入速度快,且功耗低,并已量产20多年。而这种带有SPI接口的FRAM在可1.8V至3.6V的宽电源电压下运行。在-40°C至+125°C的温度范围内,该FRAM可保证10万亿次读/写周期和低工作电流,例如最大4mA的写入电流(工作频率为50MHz)。此外,该产品还采用8引脚DFN(Dual Flatpack No-leaded,双扁平无引线)封装。

该FRAM产品可解决在高可靠性应用中使用EEPROM(电可擦除只读存储器)或SRAM(静态随机存取存储器)产生的一系列问题。如在在使用EEPROM时,由于写耐久性规范的限制,用户难以频繁记录数据,但使用FRAM可保证10万亿读/写周期,同时还可以在发生突发事故或停电时,保护写入的数据,避免数据丢失;使用SRAM时,会难以取出电池保留数据,但使用FRAM非易失性存储器,可以有效保留数据。

富士通推出汽车级4Mbit FRAM 工作温度为125°C

(图片来源:富士通)

总之,该FRAM不仅可以帮助客户减轻开发负担、增强客户产品性能,还可降低成本。

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责任编辑: 4134ZXH

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