罗姆推出内置SiC二极管的混合IGBT 可降低汽车应用功耗

7月19日，半导体制造商罗姆（ROHM）宣布推出集成650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT（混合型IGBT），即RGWxx65C系列（包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），并符合汽车可靠性标准AEC-Q101。新产品适用于处理大功率的汽车和工业应用，例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化汽车（xEV）中使用的DC/DC转换器。

（图片来源：罗姆）

RGWxx65C系列在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了罗姆的低损耗SiC肖特基势垒二极管，几乎没有恢复能量，因此可将二极管开关损耗降至最小。此外，由于在开启模式下恢复电流不必由IGBT处理，因此显著降低了IGBT的开启损耗。当将该产品用于车载充电器时，在这两种效应的共同作用下，其损耗与传统IGBT相比降低67%，与超级结MOSFET（SJ MOSFET）相比降低24%，从而进一步提高性价比，并降低工业和汽车应用中的功耗。

近年来，在全球为减少环境负担、实现碳中和及脱碳社会不断努力的过程中，电动汽车（xEV）得到日益普及。与此同时，为了配置更高效的系统，各种车辆逆变器和转换器电路也需要变得越来越多样化。此外，超低损耗SiC功率器件（即SiC MOSFET、SiC SBD等）以及传统的推功率器件（例如IGBT、超级结MOSFET）也需要在技术上有所创新。

为了向大量应用提供有效的电源解决方案，罗姆不仅专注于行业领先的SiC功率器件的产品和技术开发，还专注于开发硅产品和驱动器IC。

罗姆还在网站上提供了各种设计支持材料，包括集成和评估所需的驱动电路设计的SPICE模型和应用笔记，以支持快速上市。罗姆致力于通过开发满足不同需求的低损耗功率器件，并提供设计工具，不断通过系统低功耗和小型化为环保做贡献。

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