罗姆推出新型SBD 实现同类领先反向恢复时间

盖世汽车讯 据外媒报道，半导体制造商罗姆（ROHM）开发出100V耐压肖特基势垒二极管（SBD），可为汽车、工业和消费应用中的电源和保护电路提供业界领先的反向恢复时间（reverse recovery time，trr）。

图片来源：罗姆

尽管存在多种类型的二极管，但高效SBD越来越多地用于各种应用。特别是具有沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面型，可在整流应用中实现更高的效率。然而，沟槽MOS结构的一个缺点是trr通常比平面拓扑差，导致用于开关时的功率损耗更高。

为此，罗姆开发出新系列，采用专有的沟槽MOS结构，可同时降低VF和IR（处于权衡关系），同时实现同类领先的trr。

图片来源：罗姆

该系列是罗姆首款采用沟槽MOS结构的YQ系列，扩展了现有的四种传统SBD产品阵容，并针对各种要求进行了优化。该专有设计实现了同类领先的15ns trr，从而将trr损耗降低约 7%，总体开关损耗约比一般沟槽型MOS产品低26%，有助于降低应用功耗。与传统平面型SBD相比，新结构还改善了VF和IR损耗。 当用于正向偏置应用（例如整流）时，这会降低功率损耗，同时还降低热失控风险，而热失控是SBD的主要问题。因此，它们非常适合需要高速开关的设备，例如汽车LED头灯的驱动电路，以及xEV中容易产生热量的DC-DC转换器。

SBD沟槽MOS结构

沟槽MOS结构是通过在外延片层中使用多晶硅形成沟槽来减轻电场集中的。这降低了外延晶圆层的电阻，从而在正向施加电压时实现更低的VF。同时，在反向偏压期间，电场集中最小化，从而显着降低IR。因此，与传统产品相比，YQ系列将VF和IR分别降低了7%和82%。

与典型的沟槽MOS结构相比，由于寄生电容（器件中的电阻成分）较大，trr比平面型MOS结构差，YQ系列通过采用独特的结构设计，实现了业界领先的15ns trr。这使得开关损耗减少约26%，有助于降低应用功耗。

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